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HN1D04FUTE85LF

HN1D04FUTE85LF

참조 용

부품 번호 HN1D04FUTE85LF
PNEDA 부품 번호 HN1D04FUTE85LF
설명 DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,586
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN1D04FUTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN1D04FUTE85LF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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HN1D04FUTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성2 Pair Series Connection
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)1.6ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 80V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.43V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Through Hole

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 80V

작동 온도-접합

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