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HN2S03FUTE85LF

HN2S03FUTE85LF

참조 용

부품 번호 HN2S03FUTE85LF
PNEDA 부품 번호 HN2S03FUTE85LF
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,716
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN2S03FUTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN2S03FUTE85LF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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HN2S03FUTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성3 Independent
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)50mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If550mV @ 50mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 20V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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TO-263AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

85A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 400V

작동 온도-접합

-

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

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