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HN2S03FUTE85LF

HN2S03FUTE85LF

참조 용

부품 번호 HN2S03FUTE85LF
PNEDA 부품 번호 HN2S03FUTE85LF
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,716
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN2S03FUTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN2S03FUTE85LF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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HN2S03FUTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성3 Independent
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)50mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If550mV @ 50mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 20V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

720mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263

SBR10U200CT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 200V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 35A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

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