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HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 HN4A06J(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 HN4A06J-TE85L-F
설명 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,502
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HN4A06J(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HN4A06J(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
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  • HN4A06J(TE85L,F) Distributor

HN4A06J(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력-최대300mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지SMV

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25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

전력-최대

2.75W

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100mA

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45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Nexperia

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Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual) Matched Pair

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

6-TSOP

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

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-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 325mA, 6.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 4A, 2V

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