HP8M31TB1
참조 용
| 부품 번호 | HP8M31TB1 |
| PNEDA 부품 번호 | HP8M31TB1 |
| 설명 | HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,564 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HP8M31TB1 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HP8M31TB1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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HP8M31TB1 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.5A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.3nC, 38nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 470pF, 2300pF @ 30V |
| 전력-최대 | 3W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-HSOP |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 MPT6 |
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