HS3B R7G
참조 용
| 부품 번호 | HS3B R7G |
| PNEDA 부품 번호 | HS3B-R7G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,050 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HS3B R7G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HS3B R7G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HS3B R7G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AB, SMC |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AB (SMC) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/260 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.3V @ 240A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SWITCHMODE™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 Axial 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/477 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 875mV @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지 B, SQ-MELF 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 615mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 135µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 150°C (Max) |
