HS3FB M4G
참조 용
| 부품 번호 | HS3FB M4G |
| PNEDA 부품 번호 | HS3FB-M4G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,024 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HS3FB M4G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HS3FB M4G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HS3FB M4G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 300V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 300V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AA (SMB) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 50A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 50A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SRA 공급자 장치 패키지 SRA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 SBR® 다이오드 유형 Super Barrier 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 POWERDI®123 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 123 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
