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HSMS-282R-TR2G

HSMS-282R-TR2G

참조 용

부품 번호 HSMS-282R-TR2G
PNEDA 부품 번호 HSMS-282R-TR2G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-282R-TR2G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-282R-TR2G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-282R-TR2G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 2 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)15V
현재-최대1A
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F12Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

CLA4603-085LF

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

45V

현재-최대

1.5A

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

3-QFN (2x2)

HSMS-282F-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

HSMP-386J-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 4 Pair Parallel

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

770mOhm @ 50mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-QFN (2x2)

BAT2402LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

0201 (0603 Metric)

공급자 장치 패키지

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