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HSMS-286E-TR1G

HSMS-286E-TR1G

참조 용

부품 번호 HSMS-286E-TR1G
PNEDA 부품 번호 HSMS-286E-TR1G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-286E-TR1G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-286E-TR1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-286E-TR1G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대)4V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F0.25pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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Broadcom Limited

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143-4

BA 892 E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

SMP1371-087LF

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

200mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

2-QFN (2x2)

HSMS-2820-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-2810-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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