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HUF75329S3

HUF75329S3

참조 용

부품 번호 HUF75329S3
PNEDA 부품 번호 HUF75329S3
설명 MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HUF75329S3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HUF75329S3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
HUF75329S3, HUF75329S3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 249.14 KB)
PDFHUF75329G3 데이터 시트 표지
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  • HUF75329S3 Distributor

HUF75329S3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UltraFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs75nC @ 20V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1060pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)128W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 24V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI1330EDL-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

280mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-3

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

TK6P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

π-MOSVII

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

525V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STW28N60DM2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ DM2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

HAT2171H-EL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3750pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK

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