IAUT200N08S5N023ATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IAUT200N08S5N023ATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IAUT200N08S5N023ATMA1 |
| 설명 | 80V 200A 2.3MOHM TOLL |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,786 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IAUT200N08S5N023ATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IAUT200N08S5N023ATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IAUT200N08S5N023ATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™-5 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.8V @ 130µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7670pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 200W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-HSOF-8-1 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerSFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 310mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 60pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH5™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (최대) 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 255pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 85W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 59nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4880pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 135W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 320mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2760pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 220W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 590mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30.3pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DFN1006-3 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 |
