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IDH06G65C5XKSA2

IDH06G65C5XKSA2

참조 용

부품 번호 IDH06G65C5XKSA2
PNEDA 부품 번호 IDH06G65C5XKSA2
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 20,664
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDH06G65C5XKSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDH06G65C5XKSA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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IDH06G65C5XKSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)6A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 6A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr110µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F190pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지PG-TO220-2-1
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.6V @ 15A

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

작동 온도-접합

175°C (Max)

S1PG-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JANTX1N6642UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/578

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

300mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

3-UB (3.09x2.45)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1035HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYC8B-600PJ

WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.4V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

18ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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