IDK08G65C5XTMA1
참조 용
| 부품 번호 | IDK08G65C5XTMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IDK08G65C5XTMA1 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,022 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IDK08G65C5XTMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IDK08G65C5XTMA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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IDK08G65C5XTMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.8V @ 8A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1.4mA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO263-2 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 490mV @ 700mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 60µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 35pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 S-FLAT (1.6x3.5) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 7.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 7.5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 ITO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 2200V 전류-평균 정류 (Io) 4810A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.078V @ 4000A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200mA @ 2200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AE 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 750ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
