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IDT70824L35PF8

IDT70824L35PF8

참조 용

부품 번호 IDT70824L35PF8
PNEDA 부품 번호 IDT70824L35PF8
설명 IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
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IDT70824L35PF8 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT70824L35PF8
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IDT70824L35PF8, IDT70824L35PF8 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 191.1 KB)
PDFIDT70824S35PF8 데이터 시트 표지
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IDT70824L35PF8 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷RAM
기술SARAM
메모리 크기64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지35ns
접근 시간35ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스80-LQFP
공급자 장치 패키지80-TQFP (14x14)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MSM5118165F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

30ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

50-TSOP II

AT24C128-10PU-1.8

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MT35XL512ABA2G12-0AUT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Xccela™ - MT35X

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-TPBGA

70P249L65BYGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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