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IDT71256SA20Y

IDT71256SA20Y

참조 용

부품 번호 IDT71256SA20Y
PNEDA 부품 번호 IDT71256SA20Y
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 14,082
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDT71256SA20Y 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT71256SA20Y
분류반도체메모리 IC기억

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IDT71256SA20Y 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ns
접근 시간20ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOJ

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

MT41J64M16TW-093:J

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

24LC64T-I/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

W9812G6KH-6I TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

S29GL128P10FFI020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

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