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IDT71V124HSA12PH

IDT71V124HSA12PH

참조 용

부품 번호 IDT71V124HSA12PH
PNEDA 부품 번호 IDT71V124HSA12PH
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDT71V124HSA12PH 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT71V124HSA12PH
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IDT71V124HSA12PH, IDT71V124HSA12PH 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 115.83 KB)
PDFIDT71V124SA20YI8 데이터 시트 표지
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IDT71V124HSA12PH 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지32-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

24Gb (768M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S25FL204K0TMFI011

Cypress Semiconductor

제조업체

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시리즈

FL2-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT27C010L-12JC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

MTFC8GAKAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-VFBGA (11.5x13)

S29GL064N90DFI020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

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