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IDT71V3576S133PFI8

IDT71V3576S133PFI8

참조 용

부품 번호 IDT71V3576S133PFI8
PNEDA 부품 번호 IDT71V3576S133PFI8
설명 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDT71V3576S133PFI8 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT71V3576S133PFI8
분류반도체메모리 IC기억

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IDT71V3576S133PFI8 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간4.2ns
전압-공급3.135V ~ 3.465V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x14)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

55ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

IS61NVP51236B-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

S34ML01G100TFV003

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT29LV020-25TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

24FC02-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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