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IDT71V416YS10Y

IDT71V416YS10Y

참조 용

부품 번호 IDT71V416YS10Y
PNEDA 부품 번호 IDT71V416YS10Y
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
제조업체 IDT, Integrated Device Technology
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 9 - 11월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDT71V416YS10Y 리소스

브랜드 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDT71V416YS10Y
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IDT71V416YS10Y, IDT71V416YS10Y 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 102.68 KB)
PDF71V416YS15PHG 데이터 시트 표지
71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 2 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 3 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 4 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 5 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 6 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 7 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 8 71V416YS15PHG 데이터 시트 페이지 9

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IDT71V416YS10Y 사양

제조업체IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ns
접근 시간10ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

W98AD2KBJX6E TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70P245L90BYGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TFBGA

공급자 장치 패키지

100-CABGA (6x6)

TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

Benand™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

67-VFBGA

공급자 장치 패키지

67-VFBGA (6.5x8)

AT27C512R-55JC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

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