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IDV30E60C

IDV30E60C

참조 용

부품 번호 IDV30E60C
PNEDA 부품 번호 IDV30E60C
설명 DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IDV30E60C 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDV30E60C
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
IDV30E60C, IDV30E60C 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 1,448.78 KB)
PDFIDV30E60C 데이터 시트 표지
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  • IDV30E60C Distributor

IDV30E60C 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)21A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.05V @ 30A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)130ns
전류-역방향 누설 @ Vr40µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지PG-TO220-2 Full Pack
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4600V

전류-평균 정류 (Io)

1800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.32V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100mA @ 4600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AC, K-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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MUR310SHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MBR860MFST1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

STTH302

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

175°C (Max)

RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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