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IDW24G65C5BXKSA1

IDW24G65C5BXKSA1

참조 용

부품 번호 IDW24G65C5BXKSA1
PNEDA 부품 번호 IDW24G65C5BXKSA1
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDW24G65C5BXKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDW24G65C5BXKSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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IDW24G65C5BXKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)12A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr190µA @ 650V
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

370mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10V

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-23-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

890mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 100V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MBRF2060CT-I

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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