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IFS100V12PT4BOSA1

IFS100V12PT4BOSA1

참조 용

부품 번호 IFS100V12PT4BOSA1
PNEDA 부품 번호 IFS100V12PT4BOSA1
설명 MODULE IPM MIPAQ-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IFS100V12PT4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IFS100V12PT4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • IFS100V12PT4BOSA1 Distributor

IFS100V12PT4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 65°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전력-최대

73W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.935nF @ 30V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전력-최대

45W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.435nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

VWI35-06P1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전력-최대

100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

84A

전력-최대

431W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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