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IGW03N120H2FKSA1

IGW03N120H2FKSA1

참조 용

부품 번호 IGW03N120H2FKSA1
PNEDA 부품 번호 IGW03N120H2FKSA1
설명 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,408
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IGW03N120H2FKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IGW03N120H2FKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IGW03N120H2FKSA1, IGW03N120H2FKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 341.01 KB)
PDFIGP03N120H2XKSA1 데이터 시트 표지
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  • IGW03N120H2FKSA1 Distributor

IGW03N120H2FKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)9.6A
전류-수집기 펄스 (Icm)9.9A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
전력-최대62.5W
에너지 전환290µJ
입력 유형Standard
게이트 차지22nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C9.2ns/281ns
테스트 조건800V, 3A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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제조업체

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

165A

전류-수집기 펄스 (Icm)

360A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

전력-최대

830W

에너지 전환

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/90ns

테스트 조건

450V, 80A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

FGP10N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전력-최대

139W

에너지 전환

150µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/52.2ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37.7ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRG8CH106K10F

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 110A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

700nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/380ns

테스트 조건

600V, 110A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

RGW60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

72W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

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제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

20W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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