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IGW30N65L5XKSA1

IGW30N65L5XKSA1

참조 용

부품 번호 IGW30N65L5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IGW30N65L5XKSA1
설명 IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 17,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IGW30N65L5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IGW30N65L5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IGW30N65L5XKSA1 Distributor

IGW30N65L5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™ 5
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)85A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 30A
전력-최대227W
에너지 전환470µJ (on), 1.35mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지168nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C33ns/308ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

75W

에너지 전환

240µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/146ns

테스트 조건

400V, 4A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

43ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

APT30GP60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

260µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

360A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

전력-최대

750W

에너지 전환

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/190ns

테스트 조건

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

FGY60T120SQDN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 60A

전력-최대

517W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

311nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/296ns

테스트 조건

600V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

200W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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