IKB40N65EH5ATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IKB40N65EH5ATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IKB40N65EH5ATMA1 |
| 설명 | 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 30,204 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IKB40N65EH5ATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IKB40N65EH5ATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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IKB40N65EH5ATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | TrenchStop™ 5 |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 74A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 160A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| 전력-최대 | 250W |
| 에너지 전환 | 1.1mJ (on), 400µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 95nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 20ns/157ns |
| 테스트 조건 | 400V, 40A, 15Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 78ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 TrenchStop™ 5 IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 62A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 39A 전력-최대 188W 에너지 전환 800µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 70nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/120ns 테스트 조건 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 84ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 78A 전류-수집기 펄스 (Icm) 156A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 42A 전력-최대 350W 에너지 전환 2.35mJ (on), 3.14mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 410nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 45ns/220ns 테스트 조건 960V, 42A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-274AA 공급자 장치 패키지 SUPER-247™ (TO-274AA) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 78A 전류-수집기 펄스 (Icm) 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대 214W 에너지 전환 760µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 44ns/143ns 테스트 조건 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 92ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247N |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1000V 전류-수집기 (Ic) (최대) 60A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A 전력-최대 170W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 330ns/700ns 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-3PL 공급자 장치 패키지 TO-3P(LH) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 31A 전류-수집기 펄스 (Icm) 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대 66W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 34ns/120ns 테스트 조건 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 58ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지 TO-3PFM |
