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IKP40N65F5XKSA1

IKP40N65F5XKSA1

참조 용

부품 번호 IKP40N65F5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKP40N65F5XKSA1
설명 IGBT 650V 74A 255W TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 18,288
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKP40N65F5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKP40N65F5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IKP40N65F5XKSA1 Distributor

IKP40N65F5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)74A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
전력-최대255W
에너지 전환360µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/160ns
테스트 조건400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

340W

에너지 전환

1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/115ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGD18N40LZ-1

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

420V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

29nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

650ns/13.5µs

테스트 조건

300V, 10A, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

IKP08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

70W

에너지 전환

70µJ (on), 20µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 48Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FGB20N60SF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

208W

에너지 전환

370µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/90ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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