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IKW50N65EH5XKSA1

IKW50N65EH5XKSA1

참조 용

부품 번호 IKW50N65EH5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKW50N65EH5XKSA1
설명 IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 8,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKW50N65EH5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKW50N65EH5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IKW50N65EH5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대275W
에너지 전환1.5mJ (on), 500µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/172ns
테스트 조건400V, 50A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)81ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.35µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRGP4790D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG7PH30K10PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

27A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 9A

전력-최대

210W

에너지 전환

530µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/110ns

테스트 조건

600V, 9A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

NGTB40N135IHRWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

394W

에너지 전환

1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

234nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/250ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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