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IKW50N65H5FKSA1

IKW50N65H5FKSA1

참조 용

부품 번호 IKW50N65H5FKSA1
PNEDA 부품 번호 IKW50N65H5FKSA1
설명 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 15,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKW50N65H5FKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKW50N65H5FKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IKW50N65H5FKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대305W
에너지 전환520µJ (on), 180µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/180ns
테스트 조건400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)57ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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Sanken

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/300ns

테스트 조건

300V, 30A, 39Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IGB20N65S5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TIG066SS-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

155A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

2500µJ (on), 2140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

485nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/385ns

테스트 조건

400V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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