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IKZ50N65NH5XKSA1

IKZ50N65NH5XKSA1

참조 용

부품 번호 IKZ50N65NH5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKZ50N65NH5XKSA1
설명 IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKZ50N65NH5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKZ50N65NH5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IKZ50N65NH5XKSA1 Distributor

IKZ50N65NH5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™ 5
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)85A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대273W
에너지 전환350µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지109nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/252ns
테스트 조건400V, 25A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)46ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-4
공급자 장치 패키지PG-TO247-4

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

59A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

전력-최대

246W

에너지 전환

532µJ (on), 311µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

77nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/90ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

NGD18N45CLBT4G

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 4.5V, 7A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

420ns/2.9µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/200ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264AA(IXSK)

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

400W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1500ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

APT75GN120LG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

833W

에너지 전환

8620µJ (on), 11400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

425nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/620ns

테스트 조건

800V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

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