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IMT17-7

IMT17-7

참조 용

부품 번호 IMT17-7
PNEDA 부품 번호 IMT17-7
설명 TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 24,720
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IMT17-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IMT17-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
IMT17-7, IMT17-7 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 111.8 KB)
PDFIMT17-7 데이터 시트 표지
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IMT17-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
전력-최대300mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-26

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 1.8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

500mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

4 NPN (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 500mA, 4V

전력-최대

4W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

10-SIP

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10-SIP

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트랜지스터 유형

4 PNP (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

400mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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14-Flatpack

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 10MA, 100MA

전력-최대

100mW

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