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IPA50R380CEXKSA2

IPA50R380CEXKSA2

참조 용

부품 번호 IPA50R380CEXKSA2
PNEDA 부품 번호 IPA50R380CEXKSA2
설명 MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPA50R380CEXKSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPA50R380CEXKSA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IPA50R380CEXKSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™ CE
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24.8nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds584pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)29.2W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

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2SK3309(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

65W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FL

패키지 / 케이스

TO-220-3, Short Tab

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

Die

패키지 / 케이스

Die

SSM6K407TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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-

전력 손실 (최대)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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