IPA60R160P6XKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPA60R160P6XKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA60R160P6XKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,664 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA60R160P6XKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA60R160P6XKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA60R160P6XKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ P6 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23.8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 750µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2080pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 34W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-FP |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 206nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14800pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO263-7 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 975mOhm @ 1.7A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 630µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 18V Vgs (최대) +22V, -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 57W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-268 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
