IPA60R199CPXKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPA60R199CPXKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA60R199CPXKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,686 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA60R199CPXKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA60R199CPXKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA60R199CPXKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1520pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 34W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-FP |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3845pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1979pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.56W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 AlphaMOS FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2796pF @ 15V FET 기능 Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대) 7.3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad |
