IPA65R110CFDXKSA2
참조 용
| 부품 번호 | IPA65R110CFDXKSA2 |
| PNEDA 부품 번호 | IPA65R110CFDXKSA2 |
| 설명 | HIGH POWER_LEGACY |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,542 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPA65R110CFDXKSA2 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPA65R110CFDXKSA2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPA65R110CFDXKSA2 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ CFD2 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 31.2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3240pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 34.7W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220 Full Pack |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 89W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 35A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 4.5V Vgs (최대) +10V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5240pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 750mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 9W (Tc) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 UPAK 패키지 / 케이스 TO-243AA |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4890pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 830W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AD (IXFH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 405pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-CPH 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
