IPB038N12N3GATMA1
참조 용
부품 번호 | IPB038N12N3GATMA1 |
PNEDA 부품 번호 | IPB038N12N3GATMA1 |
설명 | MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 6,750 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPB038N12N3GATMA1 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | IPB038N12N3GATMA1 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPB038N12N3GATMA1 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | OptiMOS™ |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 120V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 270µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 211nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13800pF @ 60V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | D²PAK (TO-263AB) |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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