IPB05N03LB G
참조 용
| 부품 번호 | IPB05N03LB G |
| PNEDA 부품 번호 | IPB05N03LB-G |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,838 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPB05N03LB G 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPB05N03LB G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IPB05N03LB G 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 40µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3209pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 94W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2450pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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