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IPD380P06NMATMA1

IPD380P06NMATMA1

참조 용

부품 번호 IPD380P06NMATMA1
PNEDA 부품 번호 IPD380P06NMATMA1
설명 MOSFET P-CH 60V TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPD380P06NMATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPD380P06NMATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IPD380P06NMATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs38mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2500pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO252-3-313
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

94.3nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

263W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 900µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.5A (Ta), 27.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3490pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 5.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

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공급자 장치 패키지

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