IPG20N06S2L50AATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPG20N06S2L50AATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPG20N06S2L50AATMA1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,122 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPG20N06S2L50AATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPG20N06S2L50AATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IPG20N06S2L50AATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 55V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 19µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 560pF @ 25V |
| 전력-최대 | 51W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 495A Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1360nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 40000pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 410pF @ 20V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 340mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 66pF @ 25V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5200pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A, 800mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 138pF @ 60V 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-223-8 공급자 장치 패키지 SM8 |
