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IPP032N06N3GHKSA1

IPP032N06N3GHKSA1

참조 용

부품 번호 IPP032N06N3GHKSA1
PNEDA 부품 번호 IPP032N06N3GHKSA1
설명 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
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예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPP032N06N3GHKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPP032N06N3GHKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IPP032N06N3GHKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 118µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs165nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13000pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)188W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.75mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±22V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1805pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

FDPF12N50UT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

FRFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1395pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

BSS169L6906HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

68pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2404pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

148W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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