IPP04N03LB G
참조 용
부품 번호 | IPP04N03LB G |
PNEDA 부품 번호 | IPP04N03LB-G |
설명 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 7,056 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPP04N03LB G 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | IPP04N03LB G |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
데이터 시트 |
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IPP04N03LB G 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | OptiMOS™ |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 70µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5203pF @ 15V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 107W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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