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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

참조 용

부품 번호 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
PNEDA 부품 번호 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
설명 MOSFET N-CH 8TDSON
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 128,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPZ40N04S5L7R4ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds920pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)34W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TSDSON-8
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI4488DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN1014UFDF-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

515pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

AO4423_101

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 15A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

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57nC @ 10V

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

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35nC @ 10V

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-

전력 손실 (최대)

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