IR2113-2
참조 용
| 부품 번호 | IR2113-2 |
| PNEDA 부품 번호 | IR2113-2 |
| 설명 | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,490 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IR2113-2 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IR2113-2 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IR2113-2 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 3.3V ~ 20V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 600V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 25ns, 17ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 16-PDIP |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 80ns, 40ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 6V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.5A, 3A 입력 유형 TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 500ps, 500ps 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스 19-WFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 19-WQFN (3x4) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 13ns, 9ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-MLP (2x2) |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 25V (Max) 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
