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IR2214SS

IR2214SS

참조 용

부품 번호 IR2214SS
PNEDA 부품 번호 IR2214SS
설명 IC DRIVER HALF BRIDGE SGL 24SSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IR2214SS 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IR2214SS
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IR2214SS, IR2214SS 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 710.35 KB)
PDFIR21141SSPBF 데이터 시트 표지
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  • IR2214SS Distributor

IR2214SS 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT
전압-공급11.5V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1200V
상승 / 하강 시간 (일반)24ns, 7ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지24-SSOP

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Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

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전압-공급

10V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

600mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

650V

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 22ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6612BEIB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

MIC4128YME

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

TC4404EPA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns (Max)

작동 온도

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