IR3519MTRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IR3519MTRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IR3519MTRPBF |
| 설명 | IC MOSFET GATE DRIVER 8-MLPD |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,556 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IR3519MTRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IR3519MTRPBF |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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IR3519MTRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 6.5V ~ 7.5V |
| 논리 전압-VIL, VIH | - |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 35V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 5ns, 5ns |
| 작동 온도 | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-MLP (3x3) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 0V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.6A, 3.3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 500V 상승 / 하강 시간 (일반) 43ns, 26ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
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