IRF3709STRLPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF3709STRLPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF3709STRLPBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,182 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF3709STRLPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF3709STRLPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRF3709STRLPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 90A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 41nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2672pF @ 16V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42.8nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2850pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 34.6W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-HSOP 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Honeywell Aerospace 시리즈 HTMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.3nC @ 5V Vgs (최대) 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 28V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 225°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 8-CDIP-EP 패키지 / 케이스 8-CDIP Exposed Pad |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8290pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1289pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.43W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/603 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 12V Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 26A, 12V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 170nC @ 12V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U1 (SMD-1) 패키지 / 케이스 3-SMD, No Lead |
