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IRF5851

IRF5851

참조 용

부품 번호 IRF5851
PNEDA 부품 번호 IRF5851
설명 MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
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IRF5851 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF5851
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF5851, IRF5851 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 575.89 KB)
PDFIRF5851TR 데이터 시트 표지
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IRF5851 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A, 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 15V
전력-최대960mW
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지6-TSOP

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

1.6W, 1.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)

공급자 장치 패키지

TO-252-5

SSM6N43FU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 10V

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

FDG6304P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

62pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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