IRF5852TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF5852TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF5852TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,974 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF5852TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF5852TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF5852TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.7A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400pF @ 15V |
| 전력-최대 | 960mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.1nC, 2.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF, 120pF @ 15V 전력-최대 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 UF6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 740pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta), 87A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4150pF @ 20V 전력-최대 2.1W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power 3.3x5 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVIII-H FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 1.8W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-TSOP-F |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
