IRF7241PBF
참조 용
부품 번호 | IRF7241PBF |
PNEDA 부품 번호 | IRF7241PBF |
설명 | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 5,526 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRF7241PBF 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | IRF7241PBF |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- IRF7241PBF Datasheet
- where to find IRF7241PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF7241PBF
- IRF7241PBF PDF Datasheet
- IRF7241PBF Stock
- IRF7241PBF Pinout
- Datasheet IRF7241PBF
- IRF7241PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF7241PBF Price
- IRF7241PBF Distributor
IRF7241PBF 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | HEXFET® |
FET 유형 | P-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.2A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 6.2A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3220pF @ 25V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 2.5W (Ta) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | 8-SO |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
관심을 가질만한 제품
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 UniFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 220V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta), 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 366mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1180pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17.1A (Ta), 147A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5505pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 72mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 273nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5682pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 417W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AD 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
STMicroelectronics 제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ V FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
Microsemi 제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 694W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP4 패키지 / 케이스 SP4 |