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IRF7317PBF

IRF7317PBF

참조 용

부품 번호 IRF7317PBF
PNEDA 부품 번호 IRF7317PBF
설명 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,626
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7317PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7317PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IRF7317PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.6A, 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds900pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

166pF @ 40V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

SI5980DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

567mOhm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

78pF @ 50V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Dual

IRF9910TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTZD3154NT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563-6

SIA922EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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