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IRF7331TRPBF-1

IRF7331TRPBF-1

참조 용

부품 번호 IRF7331TRPBF-1
PNEDA 부품 번호 IRF7331TRPBF-1
설명 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7331TRPBF-1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7331TRPBF-1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7331TRPBF-1, IRF7331TRPBF-1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 194.93 KB)
PDFIRF7331TRPBF-1 데이터 시트 표지
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  • IRF7331TRPBF-1 Distributor

IRF7331TRPBF-1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A, 300mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

458pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc), 62A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

전력-최대

89W, 132W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

990mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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