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IRF740PBF

IRF740PBF

참조 용

부품 번호 IRF740PBF
PNEDA 부품 번호 IRF740PBF
설명 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF740PBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF740PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF740PBF, IRF740PBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 271.3 KB)
PDFIRF740 데이터 시트 표지
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IRF740PBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO4724

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

HUFA75637P3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

108nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

155W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

2SJ058200L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 10W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

290W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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