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IRF7504TR

IRF7504TR

참조 용

부품 번호 IRF7504TR
PNEDA 부품 번호 IRF7504TR
설명 MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
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IRF7504TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7504TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7504TR, IRF7504TR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 115.77 KB)
PDFIRF7504TR 데이터 시트 표지
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IRF7504TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds240pF @ 15V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지Micro8™

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 7.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 75V

전력-최대

19.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

NTLUD4C26NTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

2.63W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-UDFN (2x2)

SI7212DN-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

DMC2053UVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

EPC2100

EPC

제조업체

EPC

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Die

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